Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MRF9045LR1

MRF9045LR1: 产品描述LDO Voltage Regulators; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小38KB，共1页; 制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]

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MRF9045LR1概述

LDO Voltage Regulators

MRF9045LR1规格参数

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	RF MOSFET Transistors
制造商 Manufacturer	ASI [ASI Semiconductor, Inc]
RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel
Id - Continuous Drain Current	4.25 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	65 V
技术 Technology	Si
Gain	18.8 dB
Output Power	60 W
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	NI-360
系列 Packaging	Tray
Configuration	Single
Forward Transconductance - Min	3 S
Operating Frequency	945 MHz
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	117 W
类型 Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.8 V
单位重量 Unit Weight	0.032480 oz

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MRF9045LR1

RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The

ASI MRF9045LR1

is a high

voltage, gold-metalized, laterally

diffused metal oxide semiconductor.

Ideal for today's RF power amplifier

Applications.

PACKAGE STYLE .230 2L FLG

MAXIMUM RATINGS

DSS

DISS

STG

4.25 A

65 V

-0.5, +15 V

117 W @ T

= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.5 °C/W

1 = DRAIN

2 = GATE

3 = SOURCE

CHARACTERISTICS

SYMBOL

DSS

GSS

GS(th)

DS(on)

iss

oss

rss

P1dB

IMD

IRL

= 28 V

= 0 V

= 400 µA

= 1.0 A

= 28 V

= 200 µA

= 25 °C

TEST CONDITIONS

= 0 V

= 5.0 V

= 10 V

= 0 V

= 450 mA

f = 1.0 MHz

out

= 6 W

MINIMUM

TYPICAL

MAXIMUM

1.3

4.8

UNITS

µA

μA

dBc

0.25

3.0

1.2

= 28 V

f = 895 MHz

= 28 V

= 450 mA

= 28 V

f = 895 MHz

1 dB compression

f = 895 MHz

= 450 mA

OUT

= 45 W

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE

•

NORTH HOLLYWOOD, CA 91605

•

(818) 982-1202

•

FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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