| 参数名称 | 属性值 |
| 产品种类 Product Category | RF MOSFET Transistors |
| 制造商 Manufacturer | ST(意法半导体) |
| RoHS | No |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| 技术 Technology | Si |
| Gain | 17 dB at 500 MHz |
| Output Power | 8 W |
| 最大工作温度 Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| 安装风格 Mounting Style | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 Package / Case | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 系列 Packaging | Cut Tape |
| 系列 Packaging | Reel |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| 高度 Height | 3.5 mm |
| 长度 Length | 7.5 mm |
| 最小工作温度 Minimum Operating Temperature | - 65 C |
| Moisture Sensitive | Yes |
| Operating Frequency | 1 GHz |
| Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 52.8 W |
| 工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 600 |
| 类型 Type | RF Power MOSFET |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 宽度 Width | 9.4 mm |
| 单位重量 Unit Weight | 0.105822 oz |
| PD55008TR | PD55008 | PD55008S | |
|---|---|---|---|
| 描述 | RF MOSFET Transistors N-Ch 40 Volt 4 Amp | RF MOSFET Transistors N-Ch 40 Volt 4 Amp | |
| 是否无铅 | - | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | - | SOT | SOT |
| 包装说明 | - | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2 | PLASTIC, POWER, SO-10RF, 2 PIN |
| 针数 | - | 10 | 10 |
| Reach Compliance Code | - | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | - | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接 | - | SOURCE | SOURCE |
| 配置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 40 V | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | - | 4 A | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 4 A | 4 A |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | - | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G2 | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 2 | 2 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | - | 165 °C | 165 °C |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | - | 52.8 W | 52.8 W |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | - | GULL WING | FLAT |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | - | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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