MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 100nC
参数名称 | 属性值 |
产品种类 Product Category | MOSFET |
制造商 Manufacturer | Infineon(英飞凌) |
RoHS | Details |
技术 Technology | Si |
安装风格 Mounting Style | SMD/SMT |
封装 / 箱体 Package / Case | TO-263-3 |
Number of Channels | 1 Channel |
Transistor Polarity | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Id - Continuous Drain Current | 190 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.7 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Qg - Gate Charge | 100 nC |
Configuration | Single |
系列 Packaging | Reel |
系列 Packaging | Cut Tape |
高度 Height | 4.4 mm |
长度 Length | 10 mm |
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation | 220 W |
工厂包装数量 Factory Pack Quantity | 800 |
Transistor Type | 1 N-Channel |
宽度 Width | 9.25 mm |
单位重量 Unit Weight | 0.139332 oz |
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