MJE4343 (NPN),
MJE4353 (PNP)
High-Voltage - High Power
Transistors
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and
high voltage switching regulator circuits.
Features
http://onsemi.com
•
High Collector−Emitter Sustaining Voltage
−
NPN PNP
V
CEO(sus)
= 160 Vdc
−
MJE4343 MJE4353
•
High DC Current Gain
−
@ I
C
= 8.0 Adc h
FE
= 35 (Typ)
•
Low Collector−Emitter Saturation Voltage
−
V
CE(sat)
= 2.0 Vdc (Max) @ I
C
= 8.0 Adc
•
These are Pb−Free Devices
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
−
Continuous
Peak (Note 1)
Base Current
−
Continuous
Total Power Dissipation @ T
C
= 25°C
Operating and Storage Junc-
tion
Temperature Range
Symbol
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
Max
160
160
7.0
16
20
5.0
125
– 65 to + 150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
1
16 AMPS
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
160 VOLTS
4
SOT−93
CASE 340D
STYLE 1
2
3
TO−247
CASE 340L
STYLE 3
I
B
P
D
T
J
, T
stg
Adc
Watts
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction
to Case
Symbol
R
qJC
Max
1.0
Unit
°C/W
NOTE: Effective June 2012 this device will
be available only in the TO−247
package. Reference FPCN# 16827.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
1. Pulse Test: Pulse Width
v
5.0
ms,
Duty Cycle
w
10%.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
May, 2012
−
Rev. 5
1
Publication Order Number:
MJE4343/D
ÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2. Pulse Test: Pulse Width
v
300
ms,
Duty Cycle
w
2.0%.
3. f
T
=
⎪h
fe
⎪•
f
test
.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
OFF CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 0.1 MHz)
Current−Gain
−
Bandwidth Product (Note 3)
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 20 Vdc, f
test
= 0.5 MHz)
Base−Emitter On Voltage
(I
C
= 16 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 16 Adc, I
B
= 2.0 Adc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 8.0 Adc, I
B
= 800 mA)
(I
C
= 16 Adc, I
B
= 2.0 Adc)
DC Current Gain
(I
C
= 8.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
(I
C
= 16 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
Emitter−Base Cutoff Current
(V
BE
= 7.0 Vdc, I
C
= 0)
Collector−Base Cutoff Current
(V
CB
= Rated V
CB
, I
E
= 0)
Collector−Emitter Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CB
, V
EB(off)
= 1.5 Vdc)
(V
CE
= Rated V
CB
, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150°C)
Collector−Emitter Cutoff Current
(V
CE
= 80 Vdc, I
B
= 0)
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
(I
C
= 200 mAdc, I
B
= 0)
Characteristic
MJE4343 (NPN), MJE4353 (PNP)
http://onsemi.com
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
I
CEX
C
ob
h
FE
f
T
Min
160
15
8.0
1.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
35 (Typ)
15 (Typ)
Max
800
750
750
3.9
3.9
2.0
3.5
1.0
1.0
5.0
−
−
mAdc
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
−
3
MJE4343 (NPN), MJE4353 (PNP)
V
CC
+ 30 V
R
C
R
B
D
1
-4 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.2 0.3
t
d
@ V
BE(off)
= 5.0 V
SCOPE
t, TIME (
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
3.0
2.0
25
ms
+11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 30 V
t
r
R
B
and R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE I
B
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW I
B
≈
100 mA
Note:
Reverse polarities to test PNP devices.
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
20
Figure 2. Switching Times Test Circuit
Figure 3. Typical Turn−On Time
TYPICAL CHARACTERISTICS
5.0
T
J
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
V
CE
= 30 V
2.0
T
J
= 25°C
1.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
3.0
t, TIME (
μ
s)
2.0
t
s
1.2
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
0.4
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
1.0
0.7
0.5
0.2
t
f
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
20
0
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
20
Figure 4. Turn−Off Time
Figure 5. On Voltages
http://onsemi.com
4
MJE4343 (NPN), MJE4353 (PNP)
DC CURRENT GAIN
1000
1000
hFE, DC CURRENT GAIN
100
50
V
CE
= 2 V
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
20
hFE, DC CURRENT GAIN
100
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
T
JJ
= 150°C
T = 150°C
25°C
25°C
- 55°C
- 55°C
10
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
20
20
10
Figure 6. MJE4340 Series (NPN)
Figure 7. MJE4350 Series (PNP)
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 4.0 A
1.2
8.0 A
16 A
0.8
0.4
0
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
I
B
, BASE CURRENT (AMP)
2.0 3.0
5.0
Figure 8. Collector Saturation Region
1.0
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
0.5
D = 0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.01
0.02
0.01
0.02
SINGLE
PULSE
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
q
JC
(t) = r(t)
q
JC
q
JC
= 1.0°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
- T
C
= P
(pk)
q
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
100
200
500
1000
2000
5.0
10
t, TIME (ms)
20
50
Figure 9. Thermal Response
http://onsemi.com
5