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BC847CW-TP

产品描述MOSFET N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小698KB,共5页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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BC847CW-TP在线购买

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BC847CW-TP概述

MOSFET N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

BC847CW-TP规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
MCC
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-323-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Collector- Base Voltage VCBO45 V
Emitter- Base Voltage VEBO6 V
Maximum DC Collector Current0.1 A
Gain Bandwidth Product fT100 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min270
高度
Height
1.2 mm
长度
Length
1.8 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
系列
Packaging
MouseReel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
宽度
Width
1.35 mm
单位重量
Unit Weight
0.000176 oz

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MCC
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

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$ %    !"#
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
NPN
General Purpose
Transistors
SOT-323
A
D
Features
Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
Lead Free
RoHS Compliant. See ordering information)
Low current (max. 100mA)
Low voltage (max. 65V)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Operating temperature : -65 to +150
Storage temperature : -65 to +150
Thermal resistance from junction to ambient*: 625K/W
Marking: BC846AW---1A ; BC846BW---1B
BC847AW---1E ; BC847BW---1F ; BC847CW---1G
BC848AW---1JS/1J ; BC848BW---1KS/1K ; BC848CW---1LS/1L
Maximum Ratings
C
B
C
Electrical Characteristics @ 25
Symbol
Parameter
Unless Otherwise Specified
Min
Max
Units
B
F
E
E
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10uAdc, I
E
=0)
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=10mAdc, I
B
=0)
BC846AW/BW
BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=1µAdc, I
C
=0)
BC846AW/BW, BC847AW/BW/CW
BC848AW/BW/CW
Collector Current (DC)
Peak Collector Current
Peak Base Current
Vdc
G
H
J
---
---
---
80
50
30
Vdc
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
MAX
.071
.087
.045
.053
.083
.096
.026 Nominal
.047
.055
.012
.016
.000
.004
.035
.039
.004
.010
.006
.016
MM
MIN
MAX
1.80
2.20
1.15
1.35
2.10
2.45
0.65Nominal
1.20
1.40
.30
.40
.000
.100
.90
1.00
.100
.250
.15
.40
V
(BR)CEO
---
---
---
65
45
30
Vdc
V
(BR)EBO
I
C
I
CM
I
BM
---
---
---
---
---
6
5
100
200
200
mAdc
mAdc
mAdc
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
NOTE
* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board
Suggested Solder
Pad Layout
0.70
0.90
1.90
inches
mm
0.65
0.65
Revision: C
www.mccsemi.com
1 of
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