电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SI5903DC-T1-E3

产品描述MOSFET 20V 2.9A 2.1W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SI5903DC-T1-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI5903DC-T1-E3 - - 点击查看 点击购买

SI5903DC-T1-E3概述

MOSFET 20V 2.9A 2.1W

SI5903DC-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-C8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.1 A
最大漏极电流 (ID)2.1 A
最大漏源导通电阻0.155 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-C8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
Si5903DC
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
- 20
R
DS(on)
(Ω)
0.155 at V
GS
= - 4.5 V
0.180 at V
GS
= - 3.6 V
0.260 at V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
± 2.9
± 2.7
± 2.2
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
1206-8 ChipFET
®
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
S
1
S
2
G
1
G
2
Marking Code
DA XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
D
1
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
Bottom View
Ordering Information:
Si5903DC-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si5903DC-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
- 1.8
2.1
1.1
- 55 to 150
260
± 2.9
± 2.1
± 10
- 0.9
1.1
0.6
W
°C
5s
Steady State
- 20
± 12
± 2.1
± 1.5
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
50
90
30
Maximum
60
110
40
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See reliability manual for profile. The ChipFET is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated) as a result
of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure
adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 71054
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
www.vishay.com
1
串口接收9600可以,但115200就丢字节是怎么回事?
MSP430FR6972,时钟用DCO, 8MHZ,串口接收在9600时可以,但115200就丢字节是怎么回事? 示波器看串口信号时间精度并无大的偏差。 void Init_Clock(void) { / ......
wt9405 微控制器 MCU
【TI C2000的设计作品秀】-基于C28346的无功补偿设备
本帖最后由 tziang 于 2015-3-27 16:56 编辑 基于C28346的无功补偿设备 产品本身为一个比较大的电力系统设备,也就是近年来非常流行的电力无功补偿设备-无功发生 ......
tziang 微控制器 MCU
STM32非正规静电放电测试
工具:旧打火机的压电陶瓷打火器,产生瞬间电压为12000V左右,胶布包好做防护防止被电击。测试板:自制土设备,STM32F103VBT6,片内ADC.参照板:德国进口SEG线路保护装置,主CPU:PCF80C552, ......
rightnow10 stm32/stm8
毕业设计应该这样做!
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:53 编辑 作为电子专业的毕业生,马上就要出去找工作了,想拿出点东西让人看看,通过各方面的沟通与学习,我逐步对protel 99,multisim,keil c51,proteus进 ......
wsyyahoo 电子竞赛
高分求助定时器的问题
我刚开始学习cold fire的MCF5213,老师规定了一个题目,要按下按键,LED亮,过一段时间(随便一段时间就可以)LED灭,请问如何实现,需要详细一些的,万分感谢!!! 刚开始学 什么都不懂 望 ......
yxj2046 嵌入式系统
F7 独轮机器人 进度规划
项目介绍: 独轮自平衡机器人是一类重要的科学研究机器人,在机器人技术发展过程中,其重要性日益上升,代表了一个国家机器人控制技术的水平。美国的Unibot和日本的“村田少女”(Murata Gi ......
ketose 机器人开发

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 362  151  1943  1149  2247  33  19  35  48  53 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved