NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.740 INCH, DIP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | 10 YEARS DATA RETENTION PERIOD |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-P28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| DS1230Y-70 | DS1230Y-200 | DS1230AB-150 | DS1230YP-70 | DS1230AB-120 | DS1230AB-200IND | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) | - | Maxim(美信半导体) | - | Maxim(美信半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | - | DMA | - | MODULE |
| 包装说明 | 0.740 INCH, DIP-28 | 0.740 INCH, DIP-28 | - | POWERCAP MODULE-34 | - | 0.740 INCH, DIP-28 |
| 针数 | 28 | 28 | - | 34 | - | 28 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | - | not_compliant | - | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | - | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns | 200 ns | - | 70 ns | - | 200 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-P28 | R-XDMA-P28 | - | R-XDMA-U34 | - | R-XDMA-P28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 | - | e0 |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | - | 262144 bit | - | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE | - | NON-VOLATILE SRAM MODULE | - | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 | - | 34 | - | 28 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | - | 32768 words | - | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | - | 32000 | - | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | - | 85 °C |
| 组织 | 32KX8 | 32KX8 | - | 32KX8 | - | 32KX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | - | MODULE,34LEAD,1.0 | - | DIP28,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | - | 240 | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | - | 5 V | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.005 A | 0.005 A | - | 0.005 A | - | 0.005 A |
| 最大压摆率 | 0.085 mA | 0.085 mA | - | 0.085 mA | - | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V | - | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V | - | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | - | YES | - | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | - | J INVERTED | - | PIN/PEG |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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