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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MR5001
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MR5001

产品描述50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小17KB，共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
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MR5001概述

50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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MR5000 - MR5010
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 50 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
High current capability
High surge current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
AUTOMOTIVE
RECTIFIER DIODES
5
°
NOM
0.342 (8.69)
0.332 (8.43)
0.246 (6.25)
0.234 (5.94)
0.175 (4.45)
0.165 (4.19)
MECHANICAL DATA :
*
*
*
*
*
*
Case : Molded plastic
Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
Terminals : Terminal are readily solderable
Polarity : Cathode polarity band
Mounting position : Any
Weight : 1.8 grams
0.222 (5.64)
0.218 (5.54)
Dimensions in inches and ( millimeter )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current Tc = 150°C
Peak Forward Surge Current Single half sine
wave superimposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 50 Amps.
Maximum DC Reverse Current
at rated DC Blocking Voltage
Thermal Resistance (Note 1)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Marking Code
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
MR
5000
50
35
50
MR
5001
100
70
100
MR
5002
200
140
200
MR
5004
400
280
400
50
MR
5006
600
420
600
MR
5008
800
560
800
MR
5010
1000
700
1000
UNIT
Volts
Volts
Volts
Amps.
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
R
θ
JC
T
J
T
STG
500
1.1
5.0
1.0
0.8
- 65 to + 175
- 65 to + 175
Amps.
Volts
µA
mA
°C/W
°C
°C
Note
: (1) Thermal resistance from junction to case. Single side cooled.
UPDATE : OCTOBER 19, 2000

MR5001相似产品对比

MR5001 MR5010 MR5008 MR5006 MR5004 MR5002 MR5000
描述 50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 50 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code - compli compli compli compli compli compli
其他特性 - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-30 代码 - O-PEDB-N2 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2 O-PEDB-N2
最大非重复峰值正向电流 - 500 A 500 A 500 A 500 A 500 A 500 A
元件数量 - 1 1 1 1 1 1
相数 - 1 1 1 1 1 1
端子数量 - 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 - -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 - 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A 50 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 - DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压 - 1000 V 800 V 600 V 400 V 200 V 50 V
最大反向电流 - 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA 5 µA
表面贴装 - YES YES YES YES YES YES
端子形式 - NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 - END END END END END END
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -

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