MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MRF182/D
The RF MOSFET Line
RF Power
Field Effect Transistors
N–Channel Enhancement–Mode Lateral
MOSFETs
•
High Gain, Rugged Device
•
Broadband Performance from HF to 1 GHz
•
Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common
Mode Inductances
D
MRF182
MRF182S
30 W, 1.0 GHz
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFETs
G
CASE 360B–01, STYLE 1
(MRF182)
S
CASE 360C–03, STYLE 1
(MRF182S)
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain–Source Voltage
Gate–Source Voltage
Total Device Dissipation @ TC = 70°C
Derate above 70°C
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Symbol
VDSS
VGS
PD
Tstg
TJ
Value
65
±
20
74
0.57
– 65 to +150
200
Unit
Vdc
Vdc
W
W/°C
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θJC
Max
1.75
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(VGS = 0, ID = 1.0
m
Adc)
Zero Gate Voltage Drain Current
(VDS = 28 V, VGS = 0)
Gate–Source Leakage Current
(VGS = 20 V, VDS = 0)
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
65
–
–
–
–
–
–
1
1
Vdc
µAdc
µAdc
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
REV 5
©
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1997
MRF182
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS – continued
(TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(VDS = 10 V, ID = 100
µA)
Gate Quiescent Voltage
(VDS = 28 V, ID = 50 mA)
Drain–Source On–Voltage
(VGS = 10 V, ID = 3 A)
Forward Transconductance
(VDS = 10 V, ID = 3 A)
VGS(th)
VGS(Q)
VDS(on)
gfs
2
3
–
1.6
3
4
0.9
1.8
4
5
1.2
–
Vdc
Vdc
Vdc
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Output Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 28 V, VGS = 0, f = 1 MHz)
Ciss
Coss
Crss
–
–
–
56
28
2.5
–
–
–
pF
pF
pF
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Common Source Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 945 MHz)
Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 945 MHz)
Load Mismatch
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 945 MHz,
Load VSWR 5:1 at All Phase Angles)
Series Equivalent Input Impedance
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 960 MHz)
Series Equivalent Output Impedance
(VDD = 28 Vdc, Pout = 30 W, IDQ = 50 mA, f = 960 MHz)
Gps
η
11
50
14
60
–
–
dB
%
Ψ
Zin
Zout
–
–
No Degradation in Output Power
0.81 + j1.6
2.15 – j1.7
–
–
ohms
ohms
MRF182
2
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
VDS = 28 Vdc
35 IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
30
25
20
15
10
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
16
14
Gps , POWER GAIN (dB)
12
10
8
6
4
2
0
0
VDS = 28 Vdc
IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
5
10
15
20
25
30
35
40
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Pin, INPUT POWER (WATTS)
Figure 2. Output Power versus
Input Power at 1 GHz
60
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
50
η
d , DRAIN EFFICIENCY (%)
40
30
20
10
0
VDS = 28 Vdc
IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
30
25
20
15
10
Figure 3. Power Gain versus
Output Power at 1 GHz
f = 1 GHz
IDQ = 50 mA
Pin = 1.23 W
0.75 W
0.35 W
5
0
12
0
5
10
15
20
25
30
35
40
14
16
18
20
22
24
26
28
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
VDS, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Drain Efficiency versus
Output Power at 1 GHz
Figure 5. Output Power versus Supply Voltage
20
18
Pout , OUTPUT POWER (WATTS)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VDS = 13.5 Vdc
IDQ = 50 mA
f = 1 GHz
C, CAPACITANCE (pF)
100
Ciss
Coss
10
Crss
1
0
5
10
15
20
25
30
Pin, INPUT POWER (WATTS)
VDS, DRAIN SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Output Power versus Input Power
Figure 7. Capacitance versus Drain
Source Voltage
MOTOROLA RF DEVICE DATA
MRF182
4
ÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁ Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á Á Á
1500
1450
1400
1350
1300
1250
1200
1050
1000
1150
1100
f
MHz
950
900
850
800
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
90
80
70
60
50
40
30
20
0.927
0.937
0.937
0.933
0.936
0.939
0.930
0.933
0.938
0.930
0.934
0.933
0.929
0.929
0.924
0.920
0.916
0.914
0.907
0.898
0.899
0.892
0.882
0.877
0.880
0.868
0.862
0.859
0.859
0.860
0.860
0.863
0.870
0.877
0.892
0.922
0.933
|S11|
S11
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Table 1. Typical Common Source S–Parameters (VDS = 13.5 V)
–180
–179
–178
–177
–177
–176
–175
–173
–170
–169
–168
–166
–164
–161
–156
–148
–131
164
165
166
167
168
168
169
170
171
172
173
173
174
175
176
177
177
179
179
180
∠φ
12.57
14.67
17.91
22.19
29.31
40.81
11.00
|S21|
0.32
0.33
0.35
0.38
0.40
0.42
0.45
0.48
0.52
0.54
0.58
0.63
0.68
0.74
0.80
0.88
0.95
1.07
1.19
1.33
1.51
1.72
1.98
2.32
2.77
3.38
4.29
5.78
8.79
9.79
S21
ID = 1.0 A
104
112
∠φ
–2
10
13
15
17
20
22
25
27
30
34
35
38
42
45
49
52
56
61
65
69
74
80
86
87
89
90
92
95
99
0
2
4
6
8
0.004
0.005
0.005
0.006
0.007
0.007
0.008
0.008
0.009
0.009
0.010
0.013
0.015
0.015
0.015
0.014
0.015
0.016
0.017
0.017
0.018
0.019
0.020
0.020
0.021
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.022
0.023
0.023
0.022
0.022
0.021
0.011
|S12|
S12
–14
–19
–21
–23
–25
–28
–29
–33
–37
–39
–38
–33
–27
–26
–25
–28
–28
–27
–26
–24
–22
–19
–17
–14
–11
∠φ
–5
–7
–1
10
15
22
0
0
1
2
4
7
0.930
0.934
0.939
0.936
0.934
0.935
0.930
0.929
0.924
0.918
0.912
0.905
0.897
0.891
0.884
0.874
0.867
0.859
0.849
0.838
0.828
0.816
0.808
0.793
0.780
0.770
0.759
0.750
0.741
0.740
0.738
0.735
0.732
0.725
0.718
0.700
0.664
|S22|
S22
MRF182
5
–180
–179
–178
–178
–177
–176
–176
–175
–175
–174
–174
–173
–173
–173
–173
–173
–172
–172
–169
–169
–168
–166
–164
–162
–158
–151
–138
173
174
174
175
176
177
177
178
179
180
∠φ
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
