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MRF3094

产品描述MICROWAVE LINEAR POWER TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小49KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF3094概述

MICROWAVE LINEAR POWER TRANSISTORS

MRF3094规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)0.4 A
基于收集器的最大容量3.5 pF
集电极-发射极最大电压22 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)10.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MOTOROLA
The RF Line
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF3094/D
Microwave Linear
Power Transistors
Designed for Class A, common emitter linear power amplifiers.
Specified 20 Volt, 1.6 GHz Characteristics
Output Power — 0.5, 0.8, 1.6 Watts
Gain — 9.0 – 12 dB
Low Parasitic Microwave Stripline Package
Gold Metallization Diffused Emitter Ballast Resistors
Circuit board photomaster available upon request by contacting
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
MRF3094
MRF3095
9.0 – 12 dB
1.55 – 1.65 GHz
0.5 – 1.6 WATTS
MICROWAVE LINEAR
POWER TRANSISTORS
CASE 328A–03, STYLE 2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Collector Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
MRF3094, 3095
Symbol
VCES
VEBO
VCEO
IC
TJ
Tstg
Limit
50
3.5
22
0.4
200
– 65 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Max
Characteristic
Ch
i i
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
S b l
R
θJC
MRF3094
40
MRF3095
35
Unit
U i
°C/W
REV 8
©
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1997
MRF3094 MRF3095
1

MRF3094相似产品对比

MRF3094 MRF3095
描述 MICROWAVE LINEAR POWER TRANSISTORS MICROWAVE LINEAR POWER TRANSISTORS
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN EMITTER BALLASTING RESISTORS BUILT-IN EMITTER BALLASTING RESISTORS
外壳连接 EMITTER EMITTER
最大集电极电流 (IC) 0.4 A 0.4 A
基于收集器的最大容量 3.5 pF 3.5 pF
集电极-发射极最大电压 22 V 22 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
最高频带 L BAND L BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2 O-CRFM-F2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 10.5 dB 9 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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