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MRF455

产品描述POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF455概述

POWER TRANSISTOR

功率晶体管

MRF455规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性MATCHED PAIR
最大集电极电流 (IC)15 A
基于收集器的最大容量250 pF
集电极-发射极最大电压18 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JESD-30 代码O-CRFM-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值175 W
最大功率耗散 (Abs)175 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz

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MOTOROLA
The RF Line
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF455/D
NPN Silicon
RF Power Transistor
. . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and
amateur radio equipment to 30 MHz.
Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —
Output Power = 60 Watts
Minimum Gain = 13 dB
Efficiency = 55%
MATCHING PROCEDURE
In the push–pull circuit configuration it is preferred that the transistors are
used as matched pairs to obtain optimum performance.
The matching procedure used by Motorola consists of measuring h FE at the
data sheet conditions and color coding the device to predetermined hFE ranges
within the normal hFE limits. A color dot is added to the marking on top of the cap.
Any two devices with the same color dot can be paired together to form a
matched set of units.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCES
VEBO
IC
PD
Tstg
Value
18
36
4.0
15
175
1.0
– 65 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/°C
°C
MRF455
60 W, 30 MHz
RF POWER
TRANSISTOR
NPN SILICON
CASE 211–07, STYLE 1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θJC
Max
1.0
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 50 mAdc, VBE = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
18
36
4.0
Vdc
Vdc
Vdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
10
150
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(VCB = 12.5 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
250
pF
(continued)
©
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1994
MRF455
1
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