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MRF898

产品描述RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF898概述

RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

MRF898规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
Objectid1465044033
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数6
制造商包装代码CASE 333A-02
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
compound_id10894163
其他特性WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F6
元件数量1
端子数量6
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值175 W
最小功率增益 (Gp)7 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MOTOROLA
The RF Line
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF898/D
NPN Silicon
RF Power Transistor
. . . designed for 24 Volt UHF large–signal, common base amplifier applications
in industrial and commercial FM equipment operating in the range of
850 – 960 MHz.
Motorola Advanced Amplifier Concept Package
Specified 24 Volt, 900 MHz Characteristics
Output Power = 60 Watts
Power Gain = 7.0 dB Min
Efficiency = 60% Min
Double Input/Output Matched for Wideband Performance and Simplified
External Matching
Series Equivalent Large–Signal Characterization
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal
Migration
Silicon Nitride Passivated
Circuit board photomaster available upon request by contacting
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
MRF898
60 W, 850 – 960 MHz
RF POWER
TRANSISTOR
NPN SILICON
CASE 333A–02, STYLE 1
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
Storage Temperature Range
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
Tstg
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R
θJC
Value
30
55
4.0
10
175
1.0
– 65 to +150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Max
1.0
Unit
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 50 mAdc, IB = 0)
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 50 mAdc, VBE = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 5.0 mAdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, VBE = 0, TC = 25°C)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
ICES
30
55
4.0
10
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
(continued)
REV 6
©
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1994
MRF898
39
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