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MSAEZ50N10A

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MSAEZ50N10A概述

Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

MSAEZ50N10A规格参数

参数名称属性值
Objectid1439173413
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)50 A
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-CBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM

MSAEZ50N10A相似产品对比

MSAEZ50N10A MSAFZ50N10A
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Objectid 1439173413 1439173440
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 50 A 50 A
最大漏极电流 (ID) 50 A 50 A
最大漏源导通电阻 0.035 Ω 0.035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W 300 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD
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