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MSD42WT1

产品描述NPN GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS SURFACE MOUNT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MSD42WT1概述

NPN GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS SURFACE MOUNT

MSD42WT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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