RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, MICRO-X-4
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Qorvo |
包装说明 | MICROWAVE, X-CXMW-F4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 3.5 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.06 A |
FET 技术 | HIGH ELECTRON MOBILITY |
最高频带 | K BAND |
JESD-30 代码 | X-CXMW-F4 |
JESD-609代码 | e4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | MICROWAVE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 11 dB |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | ESA/SCC 5613/004 |
表面贴装 | YES |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | UNSPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches | 1 |
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