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2N5462: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小92KB，共1页; 制造商InterFET; 官网地址http://www.interfet.com/

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2N5462概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA

2N5462规格参数

参数名称	属性值
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE
最大漏源导通电阻	400 Ω
FET 技术	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)	2 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.31 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2N5462相似产品对比

	2N5462	SMP5460	SMP5461
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大漏源导通电阻	400 Ω	2000 Ω	800 Ω
FET 技术	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)	2 pF	2 pF	2 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA	TO-236	TO-236
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	BOTTOM	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	-	InterFET	InterFET

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