NAND256W3A2AZB1,NAND256W3A2AZB1 pdf中文资料,NAND256W3A2AZB1引脚图,NAND256W3A2AZB1电路-Datasheet-电子工程世界

NAND256W3A2AZB1: 产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48; 产品类别存储; 文件大小398KB，共56页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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NAND256W3A2AZB1概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	48
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V
额定供电电压	3 V
最大存取时间	35 ns
加工封装描述	12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	TRANSFERRED
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.5000 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	16
组织	32M X 16
存储密度	5.37E8 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	3.36E7 words
位数	32M
内存IC类型	FLASH 3V PROM
串行并行	PARALLEL

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