MT58L64L36FT-10,MT58L64L36FT-10 pdf中文资料,MT58L64L36FT-10引脚图,MT58L64L36FT-10电路-Datasheet-电子工程世界

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MT58L64L36FT-10: 产品描述Cache SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小557KB，共24页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT58L64L36FT-10概述

Cache SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

MT58L64L36FT-10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	QFP
包装说明	PLASTIC, TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	100
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

MT58L64L36FT-10相似产品对比

	MT58L64L36FT-10	MT58L128V18FT-10	MT58L128L18FT-10	MT58L64V32FT-10	MT58L64V36FT-10
描述	Cache SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100	Cache SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	PLASTIC, TQFP-100	PLASTIC, TQFP-100	PLASTIC, TQFP-100	PLASTIC, TQFP-100	PLASTIC, TQFP-100
针数	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz	66 MHz	66 MHz	66 MHz	66 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	2097152 bit	2359296 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	18	18	32	36
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100
字数	65536 words	131072 words	131072 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	128000	128000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX36	128KX18	128KX18	64KX32	64KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	2.5,3.3 V	3.3 V	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最大压摆率	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
最小待机电流	3.14 V	-	-	3.14 V	3.14 V

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