2014-01-10
Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range
Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich
Version 1.1
BPW 21
• Especially suitable for applications from 350 nm to
820 nm
• Adapted to human eye sensitivity (V
λ
)
• Hermetically sealed metal package (similar to
TO-5)
Features:
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
350 nm bis 820 nm
• Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (V
λ
)
• Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5)
Besondere Merkmale:
Applications
• Exposure meter for daylight and artificial light
• For artificial light of high color temperature in
photographic fields and color analysis
• Beleuchtungssensor
• Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in der
Fotografie und Farbanalyse
Anwendungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
BPW 21
Ordering Code
Bestellnummer
Q62702P0885
2014-01-10
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Spectral sensitivity
Fotoempfindlichkeit
(V
R
= 5 V, standard light/Normlicht A, T = 2856 K)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 5 V)
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 mV)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 550 nm)
Symbol
Symbol
S
Values
Werte
10 (≥ 5.5)
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
P
tot
Values
Werte
-40 ... 80
10
250
BPW 21
Unit
Einheit
°C
V
mW
Unit
Einheit
nA/Ix
λ
S max
λ
10%
A
LxW
550
350 ... 820
7.45
2.73 x 2.73
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
nA
ϕ
I
R
± 55
2 (≤ 30)
I
R
8 (≤ 200)
pA
S
λ
typ
0.34
A/W
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2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 550 nm)
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(R
L
= 1 kΩ, V
R
= 5 V,
λ
= 550 nm)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100mA, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(λ = 550 nm)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 5 V,
λ
= 550 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
(V
R
= 5V,
λ
= 550 nm)
Symbol
Symbol
η
Values
Werte
0.77
BPW 21
Unit
Einheit
Electro
ns
/Photon
mV
V
O
400 (≥ 320)
I
SC
10
µA
t
r
, t
f
1.5
µs
V
F
1.2
V
C
0
580
pF
TC
V
TC
I
-2.6
-0.05
mV / K
%/K
NEP
0.074
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
3.7e12
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Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
I
P
(V
R
= 5 V) / V
O
= f(E
V
)
BPW 21
Total Power Dissipation
Verlustleistung
P
tot
= f(T
A
)
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
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Version 1.1
Capacitance
Kapazität
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
=
f(T
A
),
V
R
= 5 V,
E
= 0
BPW 21
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
S
rel
=
f(ϕ)
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消费电子
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