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SIR-320ST3F

产品描述Test Plugs u0026 Test Jacks BINDING POST BLACK
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小57KB,共5页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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SIR-320ST3F概述

Test Plugs u0026 Test Jacks BINDING POST BLACK

SIR-320ST3F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
最大正向电流0.075 A
JESD-609代码e1
功能数量1
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
光电设备类型INFRARED LED
标称输出功率9 mW
峰值波长940 nm
形状RECTANGULAR
尺寸3.1 mm
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

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SIR-320ST3F
Sensors
Infrared light emitting diode, top view type
SIR-320ST3F
The SIR-320ST3F is a GaAs infrared light emitting diode housed in clear plastic. This device has a high luminous
efficiency and a 940nm spectrum suitable for silicon detectors. It is small and at the same time has a wide radiation angle,
marking it ideal for compact optical control equipment.
Applications
Optical control equipment
Light source for remote control devices
Dimensions
(Unit : mm)
φ3.8±0.3
φ3.1±0.2
Notes:
1.
Unspecified tolerance
shall be
±0.2.
2. Dimension in parenthesis are
show for reference.
5.2±0.3
Min.24
Features
1) Compact (φ3.1mm).
2) High efficiency, high output P
O
=9.0mW
(I
F
=50mA).
3) Wide radiation angle
θ=±18deg.
4) Emission spectrum well suited to silicon detectors
P
=940nm).
5) Good current-optical output linearity.
6) Long life, high reliability.
2
1
(2.5)
2±0.2
2.5±1
2− 0.5
Max.1
4−0.6
1.1
1 Anode
2 Cathode
Absolute maximum ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Forward current
Reverse voltage
Power dissipation
Pulse forward current
Operating temperature
Storage temperature
Pulse width=0.1msec, duty ratio 1%
Symbol
I
F
V
R
P
D
I
FP
Topr
Tstg
Limits
75
5
100
0.5
−25
to
+85
−40
to
+85
Unit
mA
V
mW
A
°C
°C
Rev.B
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