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MTB30P06V

产品描述TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小145KB,共10页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTB30P06V概述

TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS

MTB30P06V规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)450 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)310 pF
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)105 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)80 ns

MTB30P06V相似产品对比

MTB30P06V MTB30P06
描述 TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS
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