2014-01-14
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.1
BP 103
•
Spectral range of sensitivity:
(typ) 450 ... 1100
nm
•
Package:
Metal Can (TO-18), hermetically sealed,
Epoxy
•
Special:
Base connection
• High linearity
Features:
•
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 450 ... 1100 nm
•
Gehäuse:
Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch
dicht, Harz
•
Besonderheit:
Basisanschluss
• Hohe Linearität
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Computer-controlled flashes
Anwendungen
•
•
•
•
Lichtschranken
Industrieelektronik
Messen / Steuern / Regeln
Computer-Blitzlichtgeräte
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm , V
CE
= 5 V
I
PCE
[µA]
BP 103
BP 103-3/4
Note:
Anm.:
2
Ordering Code
Bestellnummer
> 80
125 ... 400
Q62702P0075
Q62702P3577
Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
2014-01-14
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector current
Kollektorstrom
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
Emitter-base voltage
Emitter-Basis-Spannung
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance
Wärmewiderstand
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
Half angle
Halbwinkel
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V)
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
10%
A
LxW
ϕ
I
PCB
Values
Werte
850
450 ... 1100
0.11
0.55 x 0.55
± 55
1
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
CE
I
C
I
CS
Values
Werte
-40 ... 80
35
100
200
BP 103
Unit
Einheit
°C
V
mA
mA
V
EB
V
EC
P
tot
R
thJA
7
7
150
500
V
V
mW
K/W
Unit
Einheit
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
μA
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2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(E
V
= 1000 lx, Std. Light A, V
CE
= 5 V)
Capacitance
Kapazität
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
CB
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
EB
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Dark current
Dunkelstrom
(V
CE
= 20 V, E = 0)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(I
C
= 1 mA, V
C
= 5 V, R
L
= 1 kΩ)
Symbol
Symbol
I
PCB
Values
Werte
3
BP 103
Unit
Einheit
μA
C
CE
7.5
pF
C
CB
13
pF
C
EB
19
pF
I
CE0
1 (≤ 50)
nA
t
r
, t
f
8
µs
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3
Version 1.1
Grouping
(T
A
= 25 °C,
λ
= 950 nm)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Photocurrent Max
Photocurrent
Min Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, min
[µA]
BP 103-2
BP 103-3
BP 103-4
BP 103-5
Group
Gruppe
80
125
200
320
Max Fotostrom
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE, max
[µA]
160
250
400
BP 103
Typ Photocurrent Rise and fall time
Typ Fotostrom
Anstiegs- und
Abfallzeit
E
V
= 1000 lx, Std. I
C
= 1 mA,
Light A, V
CE
= 5 V V
C
= 5 V, R
L
= 1 kΩ
I
PCE
[µA]
380
600
950
1400
t
r
, t
f
[µs]
5
7
9
12
Current gain
Stromverstärkung
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
I
PCE
/ I
PCB
120
190
300
480
Collector-emitter saturation
voltage
Kollektor-Emitter
Sättigungsspannung
I
C
= I
PCEmin
x 0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
[mV]
BP 103-2
BP 103-3
BP 103-4
BP 103-5
150
150
150
150
Note.: I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.:
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
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4
Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
100
OHF04042
BP 103
Photocurrent
Fotostrom
I
PCE
= f(E
e
),
V
CE
= 5 V
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400 500 600 700 800 900
nm 1100
λ
Collector Current
Kollektorstrom
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
Collector Current
Kollektorstrom
I
C
= f(V
CE
), I
B
= Parameter
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5
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