FHK3018: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小189KB，共3页; 制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd

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FHK3018概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 3 PIN

FHK3018规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.1 A
最大漏极电流 (ID)	0.1 A
最大漏源导通电阻	7.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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广东肇庆风华新谷微电子有限公司

广东省肇庆市风华路

号风华电子工业城三号楼一楼

TEL:0758-2865088 2865091

FAX:0758-2849749

SC-70 switching Transistor

FHK3018

§Equivalent

circuit

等效电路

FEATURES特征

♦

Low on-resistance.

♦

Fast switching speed.

♦

Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for

portable equipment.

♦

Easily designed drive circuits.

♦

Easy to parallel.

Applications应用

Interfacing, switching (30V, 100mA)

Structure结构

Silicon N-channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

额定值

Characteristic

特性参数

Drain-Source Voltage

漏极－源极电压

Gate-Source Voltage

栅极-源极电压

Drain Current—Continuous

漏极电流-连续

Reverse Drain Current

峰值漏极电流

Power Dissipation

耗散功率

Junction Temperature

结温

Storage Temperature Range

储存温度

Symbol

符号

DSS

GSS

stg

Rating

额定值

±20

100

200

150

-55½150

Unit

单½

Vdc

mAdc

℃

Page 0 of

*2005

年第

版*

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