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MTP50N06VL

产品描述42 A, 60 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小116KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTP50N06VL概述

42 A, 60 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

42 A, 60 V, 0.032 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

MTP50N06VL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)265 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)42 A
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.032 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)147 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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