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SRAF850C0G

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小213KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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SRAF850C0G概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 3/2 PIN

SRAF850C0G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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SRAF820 thru SRAF8150
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Isolated Schottky Barrier Rectifiers
MECHANICAL DATA
Case:
ITO-220AC
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
5 in-lbs maximum
Weight:
1.7 g (approximately)
ITO-220AC
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
IF= 8A
Maximum reverse current @ Rated V
R
T
J
=25
T
J
=100℃
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.55
0.5
I
R
dV/dt
R
θJC
T
J
T
STG
- 55 to +125
- 55 to +150
15
-
10000
5
- 55 to +150
10
SRAF SRAF SRAF SRAF SRAF SRAF SRAF SRAF
820
20
14
20
830
30
21
30
840
40
28
40
850
50
35
50
8
150
0.70
0.85
0.1
-
5
V/μs
O
860
60
42
60
890
90
63
90
8100
100
70
100
8150
150
105
150
UNIT
V
V
V
A
A
0.95
V
mA
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1309006
Version: H13

 
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