1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | BGA, BGA92,9X21,32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 0.6 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B92 |
| 长度 | 21.7 mm |
| 内存密度 | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 92 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA92,9X21,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| K4T1G164QM-ZCCC | K4T1G044QM-ZCCC | K4T1G044QM | K4T1G084QM-ZCCC | K4T1G044QM-ZCD5 | K4T1G084QM-ZCD5 | K4T1G164QM-ZCD5 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification | DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68 | 1Gb M-die DDR2 SDRAM Specification |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 | - | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 | 符合 | - | - |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | - | - |
| 包装说明 | BGA, BGA92,9X21,32 | BGA, BGA68,9X19,32 | - | BGA, BGA68,9X19,32 | BGA, BGA68,9X19,32 | - | - |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | - | compliant | compli | - | - |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | - | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | - | - |
| 最长访问时间 | 0.6 ns | 0.6 ns | - | 0.6 ns | 0.5 ns | - | - |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO REFRESH | - | - |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz | 200 MHz | - | 200 MHz | 267 MHz | - | - |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON | COMMON | - | - |
| 交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | 4,8 | - | - |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B92 | R-PBGA-B68 | - | R-PBGA-B68 | R-PBGA-B68 | - | - |
| 长度 | 21.7 mm | 21.7 mm | - | 21.7 mm | 21.7 mm | - | - |
| 内存密度 | 1073741824 bit | 1073741824 bit | - | 1073741824 bit | 1073741824 bi | - | - |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM | - | - |
| 内存宽度 | 16 | 4 | - | 8 | 4 | - | - |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | - | 3 | 3 | - | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | - | - |
| 端口数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | - | - |
| 端子数量 | 92 | 68 | - | 68 | 68 | - | - |
| 字数 | 67108864 words | 268435456 words | - | 134217728 words | 268435456 words | - | - |
| 字数代码 | 64000000 | 256000000 | - | 128000000 | 256000000 | - | - |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | - |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | - | - |
| 组织 | 64MX16 | 256MX4 | - | 128MX8 | 256MX4 | - | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | - | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | - |
| 封装代码 | BGA | BGA | - | BGA | BGA | - | - |
| 封装等效代码 | BGA92,9X21,32 | BGA68,9X19,32 | - | BGA68,9X19,32 | BGA68,9X19,32 | - | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | - |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | - | GRID ARRAY | GRID ARRAY | - | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - | 260 | 260 | - | - |
| 电源 | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | - | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | - | - |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 | - | 8192 | 8192 | - | - |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm | - | - |
| 连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | 4,8 | - | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | - | 1.9 V | 1.9 V | - | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | - | 1.7 V | 1.7 V | - | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | - | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES | - | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS | - | - |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | - | OTHER | OTHER | - | - |
| 端子形式 | BALL | BALL | - | BALL | BALL | - | - |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | - | 0.8 mm | 0.8 mm | - | - |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | - | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - |
| 宽度 | 11 mm | 11 mm | - | 11 mm | 11 mm | - | - |
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