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NAND01GR3A0AZB6E

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND01GR3A0AZB6E概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND01GR3A0AZB6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度11 mm
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8K
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小512 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度9 mm

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