电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND01GR3A2CV6T

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 全文预览

NAND01GR3A2CV6T概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND01GR3A2CV6T规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
最大存取时间35 ns
加工封装描述12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织32M X 16
存储密度5.37E8 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数3.36E7 words
位数32M
内存IC类型FLASH 3V PROM
串行并行PARALLEL

文档预览

下载PDF文档
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 1 Gbit memory array
– Up to 32 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 12µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 200µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
– Simple interface with microcontroller
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP
OPTION
– Boot from NAND support
– Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
TSOP48 12 x 20mm
WSOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 8.5 x 15 x 1mm
TFBGA63 8.5 x 15 x 1.2mm
HARDWARE DATA PROTECTION
– Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
July 2004
1/56
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
新年快乐!马年拜年!祝大家马年马上幸福。
新年快乐!马年拜年!祝大家马年马上幸福。...
bjwl_6338 综合技术交流
职场潜规则:同事密友是伙伴OR对手?
  在公司里有这样一个人,在下午昏昏欲睡的时候会来到你的隔间跟你闲聊一下,会在你困惑的时候给你一大堆对付上司的建议,或是每个星期总有那么一次下班后和你吃个饭逛个街。她是你的同事密友 ......
ESD技术咨询 工作这点儿事
各大著名公司最新电子工程师-面试题(1)
仕兰微面试题目 电子类 说明: 1、笔试共分两部分:第一部分为基础篇(必答题);第二部分为专业篇(选答题)。 2、应聘芯片设计岗位的同学请以书面形式回答问题并附简历参加应聘面试。 3 ......
linda_xia 模拟电子
数字电路课件
数字电路课件(比较详细)...
心在旅行 模拟电子
重量级的板子到论坛了吗?
到底是什么板子呢?????????????...
蓝雨夜 微控制器 MCU
基于Hercules 的工业“安全”控制系统 第三周 任务延时1周
基于Hercules 的工业“安全”控制系统 第三周 的任务 是完成pcb设计任务 可迟迟还没提交,是一直考虑能更好的发挥N2HET的作用. 如果单独把它规划为输入(DI),输出(DO),就太死板了!最后想到了大 ......
蓝雨夜 微控制器 MCU

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2847  704  1694  2852  1737  40  28  18  23  53 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved