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NAND01GR4A0CV1F: 产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48; 产品类别存储; 文件大小398KB，共56页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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NAND01GR4A0CV1F概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	48
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	2.7 V
额定供电电压	3 V
最大存取时间	35 ns
加工封装描述	12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	TRANSFERRED
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.5000 mm
端子涂层	NOT SPECIFIED
端子位置	DUAL
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	16
组织	32M X 16
存储密度	5.37E8 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	3.36E7 words
位数	32M
内存IC类型	FLASH 3V PROM
串行并行	PARALLEL

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双总线结构下双端口内存的疑问？: 双总线体系结构下（CPU和内存之间有存储器总线），双端口内存到底是什么意思？双端口指的是哪两个端口？是一个接系统总线的端口+一个接CPU的端口？还是除了接系统总线外，有两个接CPU的端口（可以接双CPU）？请熟悉计算机系统结构的XDJM们一定帮我QQ：65448993...; zjhzlswxh 嵌入式系统

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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