电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND01GR4A2AV1T

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 全文预览

NAND01GR4A2AV1T概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND01GR4A2AV1T规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
最大存取时间35 ns
加工封装描述12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织32M X 16
存储密度5.37E8 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数3.36E7 words
位数32M
内存IC类型FLASH 3V PROM
串行并行PARALLEL

文档预览

下载PDF文档
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 1 Gbit memory array
– Up to 32 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 12µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 200µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
– Simple interface with microcontroller
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP
OPTION
– Boot from NAND support
– Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
TSOP48 12 x 20mm
WSOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 8.5 x 15 x 1mm
TFBGA63 8.5 x 15 x 1.2mm
HARDWARE DATA PROTECTION
– Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
July 2004
1/56
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
VxWorks 在 80C186EB 上开发的一些问题!
想请问哈如果要在80C186上使用VxWORKS开发的话是使用VxWORKS FOR PENTIUM开发吗?另外就是在网上找了不少时间但是没找到80C186的BSP,不晓得是没有还是不支持!如果哪位知道也请你发个链接哈! ......
louiswujg 实时操作系统RTOS
【基于KW41Z智能停车场管理系统】第二贴:KW41Z性能学习
此内容由EEWORLD论坛网友陌路绝途原创,如需转载或用于商业用途需征得作者同意并注明出处 【基于KW41Z智能停车场管理系统】火热连载中 第一帖:首发帖开箱评测 https://bbs.eeworld.c ......
陌路绝途 NXP MCU
步进电机驱动问题
额,我做的是ln298和ln297联用来驱动步进电机,可是我的ln297,,,,18脚时钟进去的时候例如是40hz的方波,ln297发出的a,b,c,d四相并不是占空比为0.25,而是0.5的方波,但是频率却是10hz,不懂啊, ......
luowei100 51单片机
分享多核DSP C6678 SRIO借口调试笔记
设计的板子到了SRIO调试阶段了,在板子上,一片V6和两片6678通过4XSRIO互联,中间没有Switch,总算搞定了相互之间的通信。 1.初始化DSP的SRIO,主要是对SerDes进行配置,然后是Lane ......
Aguilera DSP 与 ARM 处理器
【Atmel SAM R21创意大赛周计划】+ 初步接触
恩,拿到板子有几天了,下载了asf跑了几个例程看了一下,还不错。去年弄过atmel的M4是个wifi的板子,老外设计的提供的SDK也是基于AFS+FreeRTOS这一套东西,当然核心的东西是wifi的协议栈。当初 ......
lyzhangxiang Microchip MCU
【连载】【ALIENTEK 战舰STM32开发板】STM32开发指南--第五十二章 T9拼音输入法实验
第五十二章 T9拼音输入法实验 上一章,我们在ALIENTEK战舰STM32开发板上实现了手写识别输入,但是该方法只能输入数字或者字母,不能输入汉字。本章,我们将给大家介绍如何在ALIENTEK战舰STM32开 ......
正点原子 stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2248  1633  1658  2803  865  40  16  20  52  44 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved