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NAND01GW3A0AZA6E: 产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小398KB，共56页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND01GW3A0AZA6E概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	12000 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e1
长度	15 mm
内存密度	1073741824 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	63
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8.5 mm

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