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NAND01GW3A0CZA1

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND01GW3A0CZA1概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND01GW3A0CZA1规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数63
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间12000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
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