电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND01GW3A2AZB6T

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
下载文档 详细参数 全文预览

NAND01GW3A2AZB6T概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND01GW3A2AZB6T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明9 X 11 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数63
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8K
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小512 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NAND TYPE
宽度9 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 1 Gbit memory array
– Up to 32 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 12µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 200µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
– Simple interface with microcontroller
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP
OPTION
– Boot from NAND support
– Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
TSOP48 12 x 20mm
WSOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 8.5 x 15 x 1mm
TFBGA63 8.5 x 15 x 1.2mm
HARDWARE DATA PROTECTION
– Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
July 2004
1/56
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
快毕业了,求一个基于单片机的毕业设计
快毕业了,求一个基于单片机的毕业设计。 谁能给我出出主意啊??????????...
飓风狂飙 单片机
走嵌入式开发能实现机器人开发梦想?
偶是个机器人迷,从小就这样,我现在比较佩服的是日本的asimo, 相信很多人听说过,不过在中国机器人这块不是很成熟,但嵌入式 发展的挺快,而且机器人开发也属于嵌入式的一部分,走嵌入式道 ......
zhulinfeng6789 机器人开发
是不是只有“原创”可以单独显示在前面,其它的分类呢?
是不是只有“原创”可以单独显示在前面,其它的分类好像不能显示吧 刚才试了下,觉得这样不太好看吧,其它的主题前面空白了这么多,感觉不和谐:) 35482 其它版块好像是“资料下载” ......
open82977352 为我们提建议&公告
编写一个小的驱动,刚入门,求建议
要编一个驱动进行信号源的脉冲计数,打算采用检测上升沿,进行中断计数,不知有没有什么更好的思路,希望高人赐教...
vodomine 嵌入式系统
DDS芯片AD951所产生调制波夹着一个正弦波是怎么回事
做一个单工无线发射装置,采用AD9851,DDS频率合成芯片,输出的调制波出现了一个不知道哪来的正弦波,频率600KHz左右,我所调制的波形频率是34MHz。这个600KHz正弦波信号在通过AD811放大后很明 ......
读懂狼心 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 346  865  1791  588  2398  7  18  37  12  49 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved