电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND01GW3A2CZA6T

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

NAND01GW3A2CZA6T概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND01GW3A2CZA6T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数63
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间12000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
PRELIMINARY DATA
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
– Up to 1 Gbit memory array
– Up to 32 Mbit spare area
– Cost effective solutions for mass storage
applications
NAND INTERFACE
– x8 or x16 bus width
– Multiplexed Address/ Data
– Pinout compatibility for all densities
SUPPLY VOLTAGE
– 1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
– 3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
PAGE SIZE
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
– x16 device: (256 + 8 spare) Words
BLOCK SIZE
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
– x16 device: (8K + 256 spare) Words
PAGE READ / PROGRAM
– Random access: 12µs (max)
– Sequential access: 50ns (min)
– Page program time: 200µs (typ)
COPY BACK PROGRAM MODE
– Fast page copy without external buffering
FAST BLOCK ERASE
– Block erase time: 2ms (Typ)
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
– Simple interface with microcontroller
AUTOMATIC PAGE 0 READ AT POWER-UP
OPTION
– Boot from NAND support
– Automatic Memory Download
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
TSOP48 12 x 20mm
WSOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 8.5 x 15 x 1mm
TFBGA63 8.5 x 15 x 1.2mm
HARDWARE DATA PROTECTION
– Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
– 100,000 Program/Erase cycles
– 10 years Data Retention
DEVELOPMENT TOOLS
– Error Correction Code software and
hardware models
– Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
– PC Demo board with simulation software
– File System OS Native reference software
– Hardware simulation models
July 2004
1/56
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
问个关于电池驱动的消息通知问题?
我下了个电池驱动,希望在电量改变的时候WinCE有消息提示,我现在发现在BatteryPDDGetStatus函数中置gpStatus->fChanged为TRUE,第一次是可以弹出电量低的消息的,但是后面就不再提示了,在串口上有 ......
jjww 嵌入式系统
无刷电机智能电机的前途命运
通过引入无刷电机智能电机控制方案,半导体行业正提供越来越多的产品,消除这些障碍。因此,无刷电机,像LED灯,可能随着21世纪引进新技术来应对环境的挑战而越来越普遍。也许很快,有刷 ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
关于功率放大器的信号输入模式
关于功率放大器的信号输入模式选择问题。在专业音响工程中常常遇到需要信号并联、桥接等问题,那么首先必须清楚的了解选择相应模式的意义。在功率放大器的背板上通常具有一个拨动式或弹簧按键式 ......
fish001 模拟与混合信号
[TI首届低功耗设计大赛]+DIY硬件资源罗列!
+DIY硬件资源罗列! TI首届“低功耗”设计大赛,采用的器件在功耗方面要注意了!同时要好好的把FR5969控制好!是个非常有“难度”的DIY活动。 先把自己大概使用到的器件罗列下: 1 ......
蓝雨夜 微控制器 MCU
【T叔藏书阁】CoDeSys V2.3 教程相关专辑
《CoDeSys_Visu_V23_CH显示屏编程手册》高清版 《CoDeSys2.3PLC用户编程手册》高清版 《CoDeSys2.3PLC编程用户手册》高清版 《CoDeSys2.3可视化编程》高清版 《Codesys标准函数 ......
tyw 下载中心专版
液压制动液使用十注意
制动液俗称刹车油,它具有沸点高、蒸发少、耐热不易变质、低温流动性好、不腐蚀机件、吸水性小、有适当粘度的特性。为确保行车安全可靠,满足对减速停车的要求,在使用和更换制动液时应注意以下 ......
frozenviolet 汽车电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 261  12  2271  1577  1997  50  30  47  42  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved