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NAND128R3A2BZB6F

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND128R3A2BZB6F概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND128R3A2BZB6F规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量48
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压2.7 V
额定供电电压3 V
最大存取时间35 ns
加工封装描述12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.5000 mm
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级COMMERCIAL
内存宽度16
组织32M X 16
存储密度5.37E8 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数3.36E7 words
位数32M
内存IC类型FLASH 3V PROM
串行并行PARALLEL
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