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NAND128R4A2CZA6

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND128R4A2CZA6概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND128R4A2CZA6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-55
针数55
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B55
JESD-609代码e0
长度10 mm
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量55
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1
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