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NAND256R4A2BN6E

产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
产品类别存储    存储   
文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND256R4A2BN6E概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

NAND256R4A2BN6E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间12000 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3/e6
长度18.4 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量48
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小256 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm
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:congratulate:谢谢啊...
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