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NAND256W3A2BZA6F

产品描述32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
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文件大小398KB,共56页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND256W3A2BZA6F概述

32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55

32M × 8 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PBGA55

NAND256W3A2BZA6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55
针数55
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间12000 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B55
JESD-609代码e1
长度10 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量55
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA55,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小512 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.05 mm
部门规模16K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度8 mm
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