32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA63,10X12,32 |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 35 ns |
命令用户界面 | YES |
数据轮询 | NO |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 536870912 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 4K |
端子数量 | 63 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA63,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
页面大小 | 512 words |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8 V |
编程电压 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.05 mm |
部门规模 | 16K |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最大压摆率 | 0.015 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
切换位 | NO |
类型 | SLC NAND TYPE |
宽度 | 9 mm |
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