NAND512R4A0AZB6F,NAND512R4A0AZB6F pdf中文资料,NAND512R4A0AZB6F引脚图,NAND512R4A0AZB6F电路-Datasheet-电子工程世界

NAND512R4A0AZB6F: 产品描述32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48; 产品类别存储存储; 文件大小398KB，共56页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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NAND512R4A0AZB6F概述

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48

32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55
针数	55
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	35 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PBGA-B55
长度	10 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	4K
端子数量	55
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA55,8X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	256 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	8K
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	NAND TYPE
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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