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NDB4050L

产品描述N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小50KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDB4050L概述

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDB4050L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)40 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)45 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NDB4050L相似产品对比

NDB4050L NDP4050L
描述 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 40 mJ 40 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A
最大漏极电流 (ID) 15 A 15 A
最大漏源导通电阻 0.08 Ω 0.08 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 45 A 45 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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