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NDF65310

产品描述660 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB,共7页
制造商Dynex
官网地址http://www.dynexsemi.com/
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NDF65310概述

660 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

NDF65310规格参数

参数名称属性值
厂商名称Dynex
包装说明O-CEDB-N2
针数2
制造商包装代码CB479
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流6500 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流660 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间1.4 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END

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NDF653
NDF653
Fast Recovery Diode
Replaces March 1998 version, DS4203 - 3.0
DS4203-4.0 January 2000
APPLICATIONS
s
Induction Heating
s
A.C. Motor Drives
s
Inverters And Choppers
s
Welding
s
High Frequency Rectification
s
UPS
KEY PARAMETERS
V
RRM
1600V
I
F(AV)
660A
I
FSM
6500A
Q
r
45
µ
C
t
rr
1.4
µ
s
FEATURES
s
Double Side Cooling
s
High Surge Capability
s
Low Recovery Charge
VOLTAGE RATINGS
Type Number
Repetitive Peak
Reverse Voltage
V
RRM
V
1600
1400
1200
1000
Conditions
NDF653 16
NDF653 14
NDF653 12
NDF653 10
V
RSM
= V
RRM
+ 100V
Outline type code: CB479.
See Package Details for further information.
CURRENT RATINGS
Symbol
Double Side Cooled
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
F
Mean forward current
RMS value
Continuous (direct) forward current
Half wave resistive load, T
case
= 65
o
C
T
case
= 65
o
C
T
case
= 65
o
C
660
1030
870
A
A
A
Parameter
Conditions
Max.
Units
Single Side Cooled (Anode side)
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
F
Mean forward current
RMS value
Continuous (direct) forward current
Half wave resistive load, T
case
= 65
o
C
T
case
= 65
o
C
T
case
= 65
o
C
490
770
625
A
A
A
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NDF65310相似产品对比

NDF65310 NDF65316 NDF65314 NDF653
描述 660 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 660 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 660 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 660 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
厂商名称 Dynex Dynex Dynex -
包装说明 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 -
针数 2 2 2 -
制造商包装代码 CB479 CB479 CB479 -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 -
最大非重复峰值正向电流 6500 A 6500 A 6500 A -
元件数量 1 1 1 -
相数 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 -
最大输出电流 660 A 660 A 660 A -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装形状 ROUND ROUND ROUND -
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 1000 V 1600 V 1400 V -
最大反向恢复时间 1.4 µs 1.4 µs 1.4 µs -
表面贴装 YES YES YES -
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD -
端子位置 END END END -

 
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