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NDH8304P

产品描述Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDH8304P概述

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDH8304P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.5 A
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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NDH8304P NDH8304
描述 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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