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FQP30N06_Q

产品描述MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小676KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FQP30N06_Q概述

MOSFET

FQP30N06_Q规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
MOSFET
制造商
Manufacturer
Fairchild
RoHSNo
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current30 A
Rds On - Drain-Source Resistance40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage25 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
Fall Time40 ns
高度
Height
16.3 mm
长度
Length
10.67 mm
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
79 W
Rise Time85 ns
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
QFET
Typical Turn-Off Delay Time35 ns
Typical Turn-On Delay Time10 ns
宽度
Width
4.7 mm
单位重量
Unit Weight
0.090478 oz

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