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GT15J103SM

产品描述TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220, TO-220SM, 2 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小186KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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GT15J103SM概述

TRANSISTOR 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220, TO-220SM, 2 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

GT15J103SM规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH SPEED
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)350 ns
JEDEC-95代码TO-220
JESD-30 代码R-PSFM-T2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max4 V
Base Number Matches1
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