2KX8 OTPROM, 120ns, CDIP24
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP24,.6 |
针数 | 24 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 100 ns |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 |
JESD-609代码 | e4 |
内存密度 | 16384 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 24 |
字数 | 2048 words |
字数代码 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 2KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 5.72 mm |
最大待机电流 | 0.0002 A |
最大压摆率 | 0.025 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
总剂量 | 100k Rad(Si) V |
宽度 | 15.24 mm |
Base Number Matches | 1 |
5962R9570801VJC | 5962R9570801QJC | HS1-6617RH | 5962R9570801QXC | |
---|---|---|---|---|
描述 | 2KX8 OTPROM, 120ns, CDIP24 | 2KX8 OTPROM, 120ns, CDIP24 | 2KX8 OTPROM, CDIP24 | 2KX8 OTPROM, 100ns, CDFP24, METAL SEALED, CERAMIC, FP-24 |
包装说明 | DIP, DIP24,.6 | DIP, DIP24,.6 | , | DFP, FL24,.4 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 | R-CDIP-T24 | R-CDIP-T24 | R-CDFP-F24 |
内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bi | 16384 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM | OTP ROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 24 | 24 | 24 | 24 |
字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5.5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
零件包装代码 | DIP | DIP | - | DFP |
针数 | 24 | 24 | - | 24 |
最长访问时间 | 100 ns | 100 ns | - | 100 ns |
JESD-609代码 | e4 | e4 | - | e4 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C |
封装代码 | DIP | DIP | - | DFP |
封装等效代码 | DIP24,.6 | DIP24,.6 | - | FL24,.4 |
电源 | 5 V | 5 V | - | 5 V |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class Q | - | MIL-PRF-38535 Class Q |
座面最大高度 | 5.72 mm | 5.72 mm | - | 2.92 mm |
最大待机电流 | 0.0002 A | 0.0002 A | - | 0.0002 A |
最大压摆率 | 0.025 mA | 0.025 mA | - | 0.025 mA |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | - | MILITARY |
端子面层 | GOLD | GOLD | - | GOLD |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | - | 100k Rad(Si) V |
宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm | - | 9.905 mm |
厂商名称 | - | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved