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IRF7509TR

产品描述Power MOSFET(Vdss=+-30V)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小171KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRF7509TR概述

Power MOSFET(Vdss=+-30V)

IRF7509TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明MICRO-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.7 A
最大漏极电流 (ID)2.7 A
最大漏源导通电阻0.11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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