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HIP2060AS2-T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-169AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小192KB,共8页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HIP2060AS2-T概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-169AB

HIP2060AS2-T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
配置SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-169AB
JESD-30 代码R-PSSO-G5
元件数量2
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)25 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

HIP2060AS2-T相似产品对比

HIP2060AS2-T
描述 Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-169AB
厂商名称 Harris
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G5
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 100 mJ
配置 SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V
最大漏极电流 (ID) 10 A
最大漏源导通电阻 0.15 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MO-169AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G5
元件数量 2
端子数量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
功耗环境最大值 65 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 25 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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