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EDR2518ABSE-AD: 产品描述288M bits Direct Rambus DRAM; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共79页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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EDR2518ABSE-AD概述

288M bits Direct Rambus DRAM

EDR2518ABSE-AD规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA80,10X18,32
针数	80
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	35 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	1066 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B80
JESD-609代码	e0
长度	17.16 mm
内存密度	301989888 bi
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	80
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	16MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA80,10X18,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	235
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.13 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.2 mm

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描述	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM	288M bits Direct Rambus DRAM
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	符合	不符合	符合	符合	不符合	符合
厂商名称	ELPIDA	-	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA80,10X18,32	-	TFBGA, BGA80,10X18,32	TFBGA, BGA80,10X18,32	TFBGA, BGA80,10X18,32	TFBGA, BGA80,10X18,32	TFBGA, BGA80,10X18,32	TFBGA, BGA80,10X18,32	TFBGA, BGA80,10X18,32
针数	80	-	80	80	80	80	80	80	80
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	-	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	35 ns	-	40 ns	40 ns	32 ns	35 ns	32 ns	32 ns	32 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	-	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	1066 MHz	-	800 MHz	800 MHz	1066 MHz	1066 MHz	1066 MHz	1066 MHz	1066 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B80	-	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80	R-PBGA-B80
JESD-609代码	e0	-	e0	e1	e0	e1	e1	e0	e1
长度	17.16 mm	-	17.16 mm	17.16 mm	17.16 mm	17.16 mm	17.16 mm	17.16 mm	17.16 mm
内存密度	301989888 bi	-	301989888 bi	301989888 bi	301989888 bi	301989888 bi	301989888 bi	301989888 bi	301989888 bi
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	-	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	18	-	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	80	-	80	80	80	80	80	80	80
字数	16777216 words	-	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	-	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX18	-	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18	16MX18
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	-	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA80,10X18,32	-	BGA80,10X18,32	BGA80,10X18,32	BGA80,10X18,32	BGA80,10X18,32	BGA80,10X18,32	BGA80,10X18,32	BGA80,10X18,32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	235	-	235	260	235	260	260	235	260
电源	1.8/2.5,2.5 V	-	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.13 mm	-	1.13 mm	1.13 mm	1.13 mm	1.13 mm	1.13 mm	1.13 mm	1.13 mm
自我刷新	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	-	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	-	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.2 mm	-	10.2 mm	10.2 mm	10.2 mm	10.2 mm	10.2 mm	10.2 mm	10.2 mm

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