128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits)
| EDD1216AASE | EDD1216AASE-6B-E | EDD1216AASE-7A-E | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits) | 128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits) | 128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits) |
| 是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | - | ELPIDA | ELPIDA |
| 零件包装代码 | - | BGA | BGA |
| 包装说明 | - | TBGA, | TBGA, |
| 针数 | - | 60 | 60 |
| Reach Compliance Code | - | unknow | unknow |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | - | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | - | 0.7 ns | 0.75 ns |
| 其他特性 | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | - | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 |
| 长度 | - | 13 mm | 13 mm |
| 内存密度 | - | 134217728 bi | 134217728 bi |
| 内存集成电路类型 | - | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | - | 16 | 16 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 |
| 端口数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 60 | 60 |
| 字数 | - | 8388608 words | 8388608 words |
| 字数代码 | - | 8000000 | 8000000 |
| 工作模式 | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | - | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | - | 8MX16 | 8MX16 |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | - | TBGA | TBGA |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | 260 | 260 |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | - | 1.14 mm | 1.14 mm |
| 自我刷新 | - | YES | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 2.7 V | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 2.3 V | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 技术 | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | - | BALL | BALL |
| 端子节距 | - | 1 mm | 1 mm |
| 端子位置 | - | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | - | 8 mm | 8 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
